致钛 TiPlus 5000 数据丢失， 0E 暴涨

@ungrown 正因为不是一回事，所以不能一刀切的说锁住电子就不可靠啊，说到底看可靠性几个 9 就完事儿了。

@keegan 我哪句话说完全一样了？正因为有不一样的地方，所以不能一刀切的说锁住电子如何如何啊！说到底判断一个东西可靠性如何直接看可靠性几个 9 就完事儿了，不能说因为是锁电子所以可靠性就低，这逻辑不成立好吧！

@keegan 逻辑是这样，a 和 b 同为 c 的子集，同时 a 和 b 有差异，其中已知 a 可靠性高，他原话相当于说只要是 c 可靠性就低，我通过 a 可靠性高来反对 c 可靠性都低这句话，我可从来没有表达过 a 和 b 是一回事这层意思。

@amazingxxxxx 所以承认就是没在开玩笑，是在嘲讽打爱国牌歪楼的吧。

@iblessyou #121
是开玩笑，也是嘲讽打爱国牌。

@layxy 只能说选用久经考验的盘吧。
我的威联通 nas 现在还在用英睿达 BX300 240G （ mlc ）当系统盘呢，用了两年没见有问题。

@dxgfalcongbit #121 原子对电子的锁住，可不是加了额外绝缘层的晶体管能比的。原子丢了电子还能从周围捕获，它总能实现新的平衡，而且也不依赖电子来存储信息。拿原子来做例子本就偏到姥姥家了，原子又不使用电子来存储信息。

@ungrown ssd 丢了电子也可以通过加电压来重新锁呀，也可以实现新的平衡呀，他原话说的是锁子电子的东西都不稳定，讨论的是锁电子的东西是否稳定，包括但不限于存储信息。

@ungrown 另外你再看看 123 楼，对于他的这种观点，我举原子的栗子只是随便举一个反例罢了，至于你说的这两个东西对电子的锁住是不是一个强度级别，我没说也没必要说他俩稳定程度是一个量级啊！

@dxgfalcongbit #128

> 他原话说的是锁子电子的东西都不稳定，讨论的是锁电子的东西是否稳定，包括但不限于存储信息。

你这是故意无视上下文。
这个帖子的讨论话题你心知肚明，讨论对象是以闪存为主。#25 提及闪存的工作原理，在上下文里面又引入了其他常见存储方式的工作原理。这是对上下文的小范围扩展，仍然扣题。因为这个原理和产品的特性是有关的，一个是用绝缘层禁锢电子顺便涉及量子隧穿，另一个则是磁性材料的磁极变化，原理不同，产品的优缺点也就不同。
你则把话题延伸到微观粒子的构成方式，这对上下文的扩展范围过分巨大，完全脱离了存储方式的工作原理的讨论范畴，而且你所引入的内容也是无关的，和不同存储方式的优缺点无关。
歪楼是网友们的自由，是抖机灵的有趣方式。但是歪楼会创建一个脱离主线的分支，这个分支上的内容对主线上的讨论是无效的。你想用原子电子来开玩笑抖机灵随意，但其他在主线上认真讨论的人会将之看作无关内容。你自认为的反例是无效的，它既不反也不例。

@ungrown 他的这套逻辑与上下文无关，他为什么会得出锁电子不稳定这种结论？锁电子和 ssd 可靠性的逻辑关系是什么？本来就是毫无逻辑的一段话，怎么可能把话题局限在存储领域？“从物理基础来看就不是稳定的”难道不是他先把话题扩展到了物理领域？你有没有想过他为什么会觉得“从物理基础来看就不是稳定的”？因为他脑子里想的是这玩意类似一个电磁铁吸钉子，断了电钉子掉一地，实际上 ssd 既不是电磁铁吸钉子，也不是原子锁电子，他既然能说出锁电子所以不稳定这种地图炮言论，我当然要用锁电子的反例来反驳他。何况原子锁电子同样涉及隧道穿透和磁场，电和磁从来都是不分家的。

@ungrown 你说了这么多，依然解释不了他那句“锁电子从物理基础来看就是不稳定的”，锁电子和是否稳定到底有毛线关系？基本上人类看得见摸得着的东西都是锁电子的。你甚至都不敢直接说涉及隧穿的东西不稳定，他居然敢说锁电子的不稳定，这难道还不够离谱吗？

@dxgfalcongbit

> 他脑子里想的是这玩意类似一个电磁铁吸钉子，断了电钉子掉一地

这是他在你的脑内小法庭里的供词陈述吗？

> 他为什么会得出锁电子不稳定这种结论？锁电子和 ssd 可靠性的逻辑关系是什么？
> 锁电子和是否稳定到底有毛线关系？

原本以为你是个脸比纸薄、嘴比铁硬的王者，妹想到是个无知无畏还懒得查阅学习的小瘪三，我还是大意了。

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在控制极不加电压时，浮栅 MOSFET 中仍有电场存在，该电场是由浮栅中的电荷产生的，称为本征电场。在本征电场的作用下，随着时间流逝产生的电荷泄漏，会逐渐导致 NAND 闪存中的数据出错甚至无法读取，因此数据保持时间（ Data Retention ）是衡量 NAND 闪存可靠性的重要指标。为避免出现这种情况，主控会按照一定的算法对闪存进行扫描（称为 Read Scrub ，数据巡检 /扫描重写），当发现某个闪存页翻转比特数超过阈值时，对数据进行重写，从而减少 ECC 无法纠正的位错误。影响数据保持时间的因素有擦写次数、ECC 强度、温度和电磁辐射等。
由于陷阱辅助隧穿（ Trap-assisted tunneling (TAT)）效应，随着擦写次数（编程 /擦除周期数，Program/Erase Cycle (P/E Cycle)）的增加，氧化物绝缘层逐渐磨损，NAND 闪存的可靠性会逐渐降低（数据保持时间缩短，出错概率增加）。

送你一份知识补充儿童套餐，望孺子细嚼慢咽、消化吸收，今后能谦虚好学，切莫愚昧无知、妄自尊大。如若不然，就当我喂了狗。

@ungrown 这是他在你的脑内小法庭里的供词陈述吗？
这是我唯一能想到的合理解释，不然无论如何也无法得出锁电子从物理基础来看就是不稳定的…

@ungrown 你这段解释的是 ssd 的损耗机制，你可以说氧化物绝缘层磨损会导致可靠性降低，但这和锁电子又有什么必然联系？结果是你从头到尾都在平行线上讨论问题。

@ungrown 他原本的逻辑是从 A 推出 B ，我认为 A 推不出 B ，你说了这么多都是试图通过 C 推出 B 来证明 A 能推出 B 是正确的，这是什么鬼逻辑？

@dxgfalcongbit #134 绝缘层和锁电子有什么关系？
绝缘层就是用来锁存电子的，你说有什么关系？
无知真可怜。

也不知道你是真的不知道，还是装傻嘴硬，这是随手就能查阅到的基础知识。
如果你是真的不知道，那也难怪你会一直重复说什么莫名其妙的 A 推导 B 这种胡话。他和我讲的都只是在陈述事实，你自己啥都不懂还搁着以为我们在跟你推导。

“送你一份知识补充儿童套餐，望孺子细嚼慢咽、消化吸收，今后能谦虚好学，切莫愚昧无知、妄自尊大。如若不然，就当我喂了狗。”

@ungrown 我当然知道绝缘层是用来锁电子的，但是你这个逻辑依然是不通的，这就好比一个人说装小球的东西都不可靠，证明过程居然是说装小球的碗磨损后会漏。如果这样也可以的话你直接用 RAM 的原理来证明锁电子不可靠不是更直接吗？相当于从头到尾我一直跟你说方向错了，你却一个劲的跟我说你的车有多快…

@ungrown 另外，我问的不是“绝缘层和锁电子有什么关系？”，而是绝缘层和锁电子有什么“必然”关系？这两个问题是不一样的，因为他是要从锁电子推出不可靠，绝缘层作为中间环节，需要锁电子和绝缘层是因果关系，但绝缘层只是一种设计方案，不是必然的设计方案，譬如 RAM ，所以锁电子与结缘层不构成因果关系，因此没法通过这条逻辑路线推出锁电子不可靠。

@dxgfalcongbit #138 看来比无知更可怜的果然是嘴硬。

“不是必然的设计方案”
就人类目前这科技水平，不用绝缘层锁电子用什么？用你？

“RAM”
有没有一种可能，就是说只是可能，RAM 是锁不住电子的，所以才把 RAM 归类到易失性存储？
你要不要再猜猜为什么把 FLASH 归类为非易失性存储？

这里没别人说什么“碗装小球”，只有你这么说，我们说的是拿纸包水早晚渗出来。

从头到尾我都在孜孜不倦地试图让你明白你的方向错了，你却一个劲跟我说你的车有多快。

@ungrown “就人类目前这科技水平，不用绝缘层锁电子用什么？”所以说根源不能简单归结为锁电子，有可能是其它方面的技术限制。

绝缘层磨损得出的结论也不过是 SSD 用久了会坏，问题是用这套逻辑同样可以得出 HDD 用久了会坏啊，譬如我可以说 HDD 磁头和磁盘的转动副用久了会磨损，导致 HDD 损坏，所以只看这种论述根本无从比较他们可靠性的相对关系。

何况